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FCPF150N65F_未分类
FCPF150N65F
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F

未分类
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国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube,Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.9A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150mOhm 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 2.4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3737 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 39W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220F-3

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FCPF150N65F_晶体管-FET，MOSFET-单个
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品牌： onsemi

包装： Tube,Tube

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系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.9A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150mOhm 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 2.4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3737 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 39W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220F-3

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FCPF150N65F_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCPF150N65F
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国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube,Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.9A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150mOhm 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 2.4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3737 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 39W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220F-3

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FCPF150N65F
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￥17.057194

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube,Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.9A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150mOhm 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 2.4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3737 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 39W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220F-3

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
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MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F

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晶体管
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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FCPF150N65F

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 650 V

Id-连续漏极电流： 24 A

Rds On-漏源导通电阻： 150 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 94 nC

Pd-功率耗散： 39 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

高度： 16.07 mm

长度： 10.36 mm

产品类型： MOSFET

宽度： 4.9 mm

单位重量： 2 g

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FCPF150N65F
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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未分类
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￥42.688432

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FCPF150N65F参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tube,Tube
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14.9A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 150mOhm 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V 2.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 94 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3737 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 39W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 Full Pack
温度: -55°C # 150°C (TJ)