FQP32N20C厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FQP32N20C 共 17 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP32N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.376938 +10：￥21.895192 +20：￥16.071946 +50：￥11.646371 +100：￥11.063998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP32N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 下载数据手册未分类	+893：￥10.553238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP32N20C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQP32N20C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥4.099073 +150：￥3.992199 +250：￥3.885218 +5950：￥3.742614	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP32N20C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP32N20C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.753968 +1000：￥6.359988 +3000：￥6.078572 +4000：￥5.909722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP32N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥28.312046 +10：￥24.40219 +100：￥20.052927 +500：￥17.068137 +1000：￥14.339194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP32N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP32N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥10.696455 +2000：￥10.518181 +3000：￥10.25077 +5000：￥10.072496	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP32N20C 授权代理品牌	FQP32N20C VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥8.241827 +20：￥8.03577 +200：￥7.555008 +1000：￥7.417598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP32N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥15.877985 +2000：￥15.344203 +4000：￥15.077371 +8000：￥14.944013	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP32N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥8.749672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FQP32N20C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	82 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	156W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP32N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 下载数据手册未分类	+893：￥10.553238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP32N20C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQP32N20C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥4.099073 +150：￥3.992199 +250：￥3.885218 +5950：￥3.742614	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP32N20C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP32N20C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.753968 +1000：￥6.359988 +3000：￥6.078572 +4000：￥5.909722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP32N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥28.312046 +10：￥24.40219 +100：￥20.052927 +500：￥17.068137 +1000：￥14.339194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP32N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP32N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥10.696455 +2000：￥10.518181 +3000：￥10.25077 +5000：￥10.072496	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP32N20C 授权代理品牌	FQP32N20C VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥8.241827 +20：￥8.03577 +200：￥7.555008 +1000：￥7.417598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP32N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥15.877985 +2000：￥15.344203 +4000：￥15.077371 +8000：￥14.944013	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）