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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.035014 +10：￥8.529774 +30：￥7.024534 +100：￥6.271914 +500：￥5.770127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.627459	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC6675BZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMC6675BZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+4：￥3.924349 +40：￥3.767375 +160：￥3.610401 +5000：￥3.516171 +15000：￥3.390684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.770645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6675BZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMC6675BZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.390684 +5000：￥3.192845 +15000：￥3.051615 +25000：￥2.966761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+79：￥10.412163 +100：￥8.116169 +500：￥6.714473 +6000：￥5.299524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.934201 +10：￥10.299395 +50：￥8.756094 +100：￥8.027329 +200：￥7.609262	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.806497 +10：￥10.512662 +100：￥8.194457 +500：￥6.779386 +1000：￥5.350694	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥12.139529 +100：￥9.39074 +500：￥7.773691 +1000：￥6.206584	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.806162 +6000：￥2.67253 +9000：￥2.549177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDMC6675BZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.5A（Ta），20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14.4 毫欧 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	65 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2865 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），36W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC6675BZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMC6675BZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+4：￥3.924349 +40：￥3.767375 +160：￥3.610401 +5000：￥3.516171 +15000：￥3.390684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.770645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6675BZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMC6675BZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.390684 +5000：￥3.192845 +15000：￥3.051615 +25000：￥2.966761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+79：￥10.412163 +100：￥8.116169 +500：￥6.714473 +6000：￥5.299524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.934201 +10：￥10.299395 +50：￥8.756094 +100：￥8.027329 +200：￥7.609262	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.806497 +10：￥10.512662 +100：￥8.194457 +500：￥6.779386 +1000：￥5.350694	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6675BZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥12.139529 +100：￥9.39074 +500：￥7.773691 +1000：￥6.206584	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.4 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2865 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）