FDP047N08厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FDP047N08 共 8 条相关记录

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDP047N08 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDP047N08 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥8.28942 +1000：￥8.003579 +3000：￥7.717737 +4000：￥7.503355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDP047N08 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥18.753525 +1600：￥18.440966 +2400：￥18.128408 +3200：￥17.815849	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 164A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9415 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 268W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDP047N08 授权代理品牌	FDP047N08 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥8.264632 +20：￥7.770211 +100：￥7.699595 +1000：￥7.55825	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP047N08 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.098672 +50：￥15.146942 +100：￥12.983009 +500：￥11.54027 +1000：￥9.881373	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 164A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9415 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 268W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP047N08 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.720413 +50：￥37.053432 +100：￥31.759879 +500：￥28.230559 +1000：￥24.172456	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 164A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9415 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 268W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDP047N08 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWFIELD-EFFETRANSISTO164750.004 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP047N08 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥53.408451 +10：￥44.915364 +50：￥42.302106 +100：￥33.972348 +250：￥31.032433	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP047N08 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+800：￥35.175502 +1000：￥34.816728 +2000：￥34.473552 +2500：￥34.130378 +3000：￥33.787201	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDP047N08参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	164A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.7 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	152 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9415 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	268W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）