品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），76A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 24A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 101 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7005 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），76A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 24A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 101 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7005 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），76A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 24A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 101 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7005 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），76A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 24A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 101 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7005 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-PowerTDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 24A (Ta), 76A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 24A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.2W (Ta), 125W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 8V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 101 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 7005 pF @ 40 V