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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3572 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥146.817407 +200：￥99.28655 +800：￥72.880599 +3000：￥52.812023 +6000：￥50.17144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 8.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2490 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP (5x6)，Power56 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3572 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.615998 +10：￥9.408379 +30：￥9.266325 +100：￥9.12427	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 8.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2490 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP (5x6)，Power56 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3572 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.001445 +6000：￥6.738269	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 8.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2490 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP (5x6)，Power56 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS3572 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥17.12739 +6000：￥16.483591	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 8.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2490 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP (5x6)，Power56 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS3572 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.004984 +10：￥31.546994 +100：￥25.111866 +500：￥21.248216 +1000：￥18.028794	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： UltraFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (5x6), Power56
FDMS3572 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.004984 +10：￥31.546994 +100：￥25.111866 +500：￥21.248216 +1000：￥18.028794	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： UltraFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (5x6), Power56

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3572 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥40.676205 +10：￥36.608584 +25：￥34.504643 +100：￥29.455182 +250：￥28.753869	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3572 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 80V 8.8A 8-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥13.454697	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3572 onsemi(安森美) 授权代理品牌	N-Channel 80 V 16.5 mOhm Surface Mount UltraFET Trench Mosfet - Power 56 下载数据手册未分类	+3000：￥10.914986	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3572 onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N, SMD, MLP 下载数据手册未分类	+1：￥27.681064 +10：￥22.980746 +100：￥16.921147 +500：￥13.160891 +3000：￥12.436789	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS3572参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	UltraFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.8A（Ta），22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16.5 毫欧 8.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	40 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2490 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），78W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MLP (5x6)，Power56
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）