品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： PNP - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-70, SOT-323

供应商器件封装： SOT-323

温度：

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： PNP - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-70, SOT-323

供应商器件封装： SOT-323

温度：

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： PNP - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-70, SOT-323

供应商器件封装： SOT-323

温度：

Packaging： Bulk

Package / Case： SC-70, SOT-323

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 500µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 68 @ 5mA, 5V

Supplier Device Package： SC-70 (SOT323)

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Frequency - Transition： 200 MHz

Resistor - Base (R1)： 10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47 kOhms

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SC-70, SOT-323

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 500µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 68 @ 5mA, 5V

Supplier Device Package： SOT-323

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Frequency - Transition： 200 MHz

Resistor - Base (R1)： 10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47 kOhms

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SC-70, SOT-323

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 500µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 68 @ 5mA, 5V

Supplier Device Package： SOT-323

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Frequency - Transition： 200 MHz

Resistor - Base (R1)： 10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47 kOhms

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-323-3

系列： FJX4006R

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Single

晶体管极性： PNP

典型输入电阻器： 10 kOhms

典型电阻器比率： 0.21

安装风格： SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min： 68

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极连续电流： - 0.1 A

峰值直流集电极电流： 100 mA

Pd-功率耗散： 200 mW

商标： onsemi / Fairchild

直流电流增益 hFE 最大值： 68

发射极 - 基极电压 VEBO： - 10 V

高度： 0.9 mm

长度： 2 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

类型： PNP Epitaxial Silicon Transistor

宽度： 1.25 mm

单位重量： 5 mg

温度： - 55 C~+ 150 C