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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB060AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB 下载数据手册未分类	+1：￥40.223281 +10：￥35.349718 +30：￥32.453992	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB060AN08A0 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDB060AN08A0 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.884507 +200：￥4.703642 +1050：￥4.594975 +2360：￥4.522671 +3940：￥4.450368	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDB060AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB 下载数据手册未分类	+10：￥34.661037 +25：￥33.375441 +100：￥27.791975 +250：￥27.401057 +500：￥23.77129	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB060AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.2685 +10：￥14.85675 +30：￥14.58 +100：￥14.30325	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDB060AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.350797 +10：￥36.343547 +30：￥35.666544 +100：￥34.98954	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDB060AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.350797 +10：￥36.343547 +30：￥35.666544 +100：￥34.98954	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK
FDB060AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.350797 +10：￥36.343547 +30：￥35.666544 +100：￥34.98954	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB060AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB 下载数据手册未分类	+1：￥55.808032 +10：￥50.127825 +25：￥48.281757 +100：￥40.187463 +250：￥39.619442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 800

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB060AN08A0 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥50.271473 +10：￥44.919329 +25：￥43.719932 +100：￥35.491815 +250：￥35.130707	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDB060AN08A0参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	95 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5150 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	255W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）