FQD16N25CTM厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD16N25CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.884759 +10：￥13.2374 +30：￥10.58992 +100：￥8.824893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD16N25CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.156314 +10：￥8.748924 +30：￥7.86668 +100：￥6.963429 +500：￥6.553816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD16N25CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.010424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD16N25CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.762082 +5000：￥2.630596 +12500：￥2.509139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD16N25CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.756784 +5000：￥6.435135 +12500：￥6.138017	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD16N25CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.403419 +10：￥13.365221 +100：￥10.395489 +500：￥8.811063 +1000：￥7.177567	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
FQD16N25CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.403419 +10：￥13.365221 +100：￥10.395489 +500：￥8.811063 +1000：￥7.177567	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD16N25CTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 16A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥18.75149 +10：￥15.734946 +100：￥12.24554 +500：￥10.386696 +1000：￥8.46263	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD16N25CTM 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥5.180102	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQD16N25CTM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	270 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	53.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1080 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	160W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）