FQU8P10TU厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FQU8P10TU 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU8P10TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.554814 +200：￥6.414307 +500：￥6.184835 +1000：￥6.075562	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 530 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），44W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQU8P10TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK 下载数据手册未分类	+3585：￥2.737325	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 530 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），44W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQU8P10TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK 下载数据手册未分类	+20：￥6.579476 +100：￥5.143278 +500：￥4.247261 +1000：￥3.20388 +10080：￥3.191589	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQU8P10TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 530 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），44W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU8P10TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.93822 +10：￥3.486483 +25：￥3.275672 +100：￥2.376832 +250：￥2.292276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 530 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），44W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU8P10TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.63393 +10：￥8.528861 +25：￥8.013162 +100：￥5.81436 +250：￥5.607514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 530 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），44W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU8P10TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥12.496455 +10：￥11.133205 +100：￥8.690716 +500：￥7.171262 +1000：￥5.396197	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 5040

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU8P10TU 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 下载数据手册未分类	+5040：￥4.551804	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQU8P10TU参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	530 毫欧 3.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	470 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	I-PAK
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）