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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD1600N10ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.349641 +10：￥10.89968 +30：￥9.083107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 14.9W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD1600N10ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.901035 +10：￥3.245399 +30：￥2.917581 +100：￥2.60069 +500：￥2.403999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 14.9W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD1600N10ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.62462	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 14.9W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDD1600N10ALZ 授权代理品牌	FDD1600N10ALZ UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.166886 +1000：￥1.110626 +2000：￥1.055754	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDD1600N10ALZ UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FDD1600N10ALZ UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+2500：￥0.997988 +5000：￥0.945433 +12500：￥0.898202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD1600N10ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.363501 +5000：￥2.250906 +12500：￥2.147017 +25000：￥2.142926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 14.9W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD1600N10ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.781748 +5000：￥5.506311 +12500：￥5.252172 +25000：￥5.242166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 14.9W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD1600N10ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.007695 +10：￥11.434853 +100：￥8.894886 +500：￥7.53957 +1000：￥6.14166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak)
FDD1600N10ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.007695 +10：￥11.434853 +100：￥8.894886 +500：￥7.53957 +1000：￥6.14166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD1600N10ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥13.561886 +10：￥11.584793 +100：￥8.741697 +500：￥7.744981 +1000：￥6.715584	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

FDD1600N10ALZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	160 毫欧 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.61 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	225 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	14.9W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）