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FDC30N20DZ_未分类
FDC30N20DZ
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MOSFET N-CH 30V 4.6A SUPERSOT6

未分类

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¥2.383425

+200:

¥0.922366

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¥0.890017

+1000:

¥0.873947

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 31 毫欧 4.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.9 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 535 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 960mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SuperSOT™-6

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDC30N20DZ_未分类
FDC30N20DZ
授权代理品牌

FDC30N20DZ UDU SEMICONDUTOR

未分类

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¥2.512712

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¥1.081394

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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FDC30N20DZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥1.578738

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¥1.469915

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¥1.415446

+30000:

¥1.361035

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 31 毫欧 4.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.9 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 535 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 960mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SuperSOT™-6

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDC30N20DZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥3.862011

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¥3.595801

+15000:

¥3.462556

+30000:

¥3.329452

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 31 毫欧 4.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.9 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 535 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 960mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SuperSOT™-6

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDC30N20DZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥9.937406

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

FDC30N20DZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥9.937406

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

Mouser
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FDC30N20DZ_未分类
FDC30N20DZ
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 4.6A SUPERSOT6

未分类

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¥12.159889

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¥10.655902

+100:

¥8.175926

+500:

¥6.463941

+1000:

¥5.51995

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
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FDC30N20DZ_未分类
FDC30N20DZ
授权代理品牌

Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

未分类

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¥9.630242

+10:

¥8.485669

+25:

¥8.40149

+100:

¥6.426443

+250:

¥6.362368

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDC30N20DZ参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 31 毫欧 4.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.9 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 535 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 960mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SuperSOT™-6
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
温度: -55°C # 150°C(TJ)