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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.046601 +10：￥11.36432 +30：￥9.470307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 985 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），89W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.21752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 985 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），89W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册未分类	+470：￥5.344679	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 985 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），89W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册未分类	+10：￥15.907782 +100：￥12.348513 +500：￥10.208461 +1000：￥8.068296 +2500：￥7.82798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥5.812123 +5000：￥5.621561 +7500：￥5.526281 +10000：￥5.431	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 985 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），89W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD86252 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD86252 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.315748 +2500：￥3.20139 +7500：￥3.087137 +10000：￥3.001342	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥13.323297 +10：￥11.879835 +100：￥8.893482 +500：￥7.358408 +1000：￥5.811158	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥5.358344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 985 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），89W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD86252 授权代理品牌	FDD86252 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.622715	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.511551	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 985 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），89W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDD86252参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Ta），27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	985 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），89W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册未分类	+470：￥5.344679	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 985 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），89W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册未分类	+10：￥15.907782 +100：￥12.348513 +500：￥10.208461 +1000：￥8.068296 +2500：￥7.82798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥5.812123 +5000：￥5.621561 +7500：￥5.526281 +10000：￥5.431	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 985 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），89W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD86252 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD86252 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.315748 +2500：￥3.20139 +7500：￥3.087137 +10000：￥3.001342	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥13.323297 +10：￥11.879835 +100：￥8.893482 +500：￥7.358408 +1000：￥5.811158	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥5.358344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 985 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），89W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD86252 授权代理品牌	FDD86252 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.622715	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数