FDT86113LZ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.805159 +10：￥13.20352 +30：￥11.002893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 315 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDT86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.805159 +10：￥13.20352 +30：￥11.002893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 315 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT86113LZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 100V 5A 下载数据手册未分类	+1：￥3.245399 +10：￥2.622545 +30：￥2.349363 +100：￥2.021545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDT86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.543887 +10：￥14.544196 +30：￥13.298488 +100：￥12.00907 +500：￥11.429924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 315 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDT86113LZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDT86113LZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥1.69782 +20：￥1.669943 +50：￥1.600363 +2500：￥1.572487	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDT86113LZ JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDT86113LZ JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.918707 +2500：￥0.901959 +7500：￥0.876893 +25000：￥0.851827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDT86113LZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDT86113LZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.670159 +2500：￥1.600579 +7500：￥1.530998 +15000：￥1.419603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.379662 +8000：￥2.266343 +12000：￥2.161715 +28000：￥2.157587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 315 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥5.821285 +8000：￥5.544073 +12000：￥5.288127 +28000：￥5.27803	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 315 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDT86113LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.074745 +10：￥11.519872 +100：￥8.955822 +500：￥7.591182 +1000：￥6.183708	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4

FDT86113LZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 3.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	315 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）