FDG410NZ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG410NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88 下载数据手册未分类	+1：￥2.967702 +200：￥1.148493 +500：￥1.108162 +1000：￥1.088206	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 535 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG410NZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDG410NZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.254143 +1000：￥1.18985 +9000：￥1.157704 +15000：￥1.125557 +21000：￥1.082659	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG410NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 535 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDG410NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 535 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDG410NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-88 (SC-70-6)
FDG410NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-88 (SC-70-6)
FDG410NZ ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88 下载数据手册未分类	+1：￥13.936371	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 70mOhm @ 2.2A, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： SC-88 (SC-70-6) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.5V, 4.5V Vgs (Max)： ±8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 7.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 535 pF @ 10 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG410NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

FDG410NZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 2.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.2 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	535 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	420mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-88（SC-70-6）
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）