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FJV4102RMTF_未分类
FJV4102RMTF
ON(安森美)
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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未分类
+42736：

￥0.219424

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： PNP - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

自营 国内现货
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FJV4102RMTF_双极晶体管
FJV4102RMTF
ON(安森美)
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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双极晶体管
1+:

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： PNP - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

Digi-Key
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FJV4102RMTF_双极晶体管
FJV4102RMTF
ON(安森美)
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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双极晶体管
1+:

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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： PNP - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

FJV4102RMTF_双极晶体管
FJV4102RMTF
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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双极晶体管
1+:

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货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： Out of Bounds

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

FJV4102RMTF_双极晶体管
FJV4102RMTF
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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双极晶体管
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： Out of Bounds

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

FJV4102RMTF_未分类
FJV4102RMTF
ON Semiconductor
授权代理品牌
+10428：

￥0.407193

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 500µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 30 @ 5mA, 5V

Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236)

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Frequency - Transition： 200 MHz

Resistor - Base (R1)： 10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 10 kOhms

FJV4102RMTF_未分类
FJV4102RMTF
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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未分类
+9616：

￥0.407193

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 500µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 30 @ 5mA, 5V

Supplier Device Package： SOT-23-3

Part Status： Obsolete

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Frequency - Transition： 200 MHz

Resistor - Base (R1)： 10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 10 kOhms

Mouser
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FJV4102RMTF_未分类
FJV4102RMTF
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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+1：

￥1.823416

+10：

￥1.458733

+100：

￥0.82755

+500：

￥0.589104

+1000：

￥0.434815

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 3000

艾睿
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FJV4102RMTF
授权代理品牌

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

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+1：

￥0.669657

+10：

￥0.530198

+25：

￥0.523915

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￥0.520146

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￥0.290227

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货期：7~10 天

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FJV4102RMTF参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Obsolete
晶体管类型: PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 30 5mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA (ICBO)
频率 - 跃迁: 200 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
温度: