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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS039N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥14.271015 +10：￥12.555433 +30：￥11.484561 +100：￥10.380907 +500：￥9.889179	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19.4A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS039N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+3000：￥8.263282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19.4A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS039N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.310125 +100：￥15.512175 +500：￥12.791756 +1000：￥11.76147	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19.4A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS039N08B VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMS039N08B VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥7.53475 +200：￥7.346404 +5000：￥7.0952	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS039N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.350274 +6000：￥6.115072	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19.4A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS039N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥15.534452 +6000：￥14.959086	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19.4A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS039N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.998251 +10：￥30.497156 +100：￥24.509122 +500：￥20.137092 +1000：￥16.68504	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS039N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.998251 +10：￥30.497156 +100：￥24.509122 +500：￥20.137092 +1000：￥16.68504	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS039N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥41.095564 +10：￥34.100574 +100：￥27.28046 +250：￥27.105585 +500：￥23.083467	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS039N08B 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥13.939833 +6000：￥13.844808 +9000：￥13.256751	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS039N08B参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	19.4A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.9 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	100 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7600 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），104W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS039N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+3000：￥8.263282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19.4A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS039N08B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.310125 +100：￥15.512175 +500：￥12.791756 +1000：￥11.76147	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19.4A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS039N08B VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMS039N08B VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥7.53475 +200：￥7.346404 +5000：￥7.0952	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数