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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6670AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.704345 +10：￥3.092417 +30：￥2.775527 +100：￥2.469563 +500：￥2.098036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1540 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6670AS VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 20V 12A 下载数据手册未分类	+1：￥2.688108 +10：￥2.218236 +30：￥2.021545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS6670AS UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	SOP8 下载数据手册未分类	+10：￥2.463426 +100：￥1.069646 +1000：￥0.81682	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6670AS ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1155：￥2.316809 +5772：￥2.271322	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1540 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS6670AS VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N-Channel 20V 12000mA SO-8 下载数据手册未分类	+10：￥1.062838 +50：￥1.044471 +500：￥1.007844 +5000：￥0.980401 +30000：￥0.916222	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6670AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1540 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS6670AS 授权代理品牌	FDS6670AS UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.777924 +1000：￥0.731388 +2000：￥0.68624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6670AS 授权代理品牌	FDS6670AS VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.223841 +25：￥1.19328 +50：￥1.162603 +100：￥1.132042 +200：￥1.111668	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6670AS 授权代理品牌	FDS6670AS VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.318303 +50：￥1.252435 +200：￥1.208445 +4000：￥1.197447	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6670AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1540 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS6670AS参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®, SyncFET™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9 毫欧 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1540 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS6670AS UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	SOP8 下载数据手册未分类	+10：￥2.463426 +100：￥1.069646 +1000：￥0.81682	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6670AS ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1155：￥2.316809 +5772：￥2.271322	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1540 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS6670AS VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N-Channel 20V 12000mA SO-8 下载数据手册未分类	+10：￥1.062838 +50：￥1.044471 +500：￥1.007844 +5000：￥0.980401 +30000：￥0.916222	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6670AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1540 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS6670AS 授权代理品牌	FDS6670AS UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.777924 +1000：￥0.731388 +2000：￥0.68624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6670AS 授权代理品牌	FDS6670AS VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.223841 +25：￥1.19328 +50：￥1.162603 +100：￥1.132042 +200：￥1.111668	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS6670AS 授权代理品牌	FDS6670AS VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.318303 +50：￥1.252435 +200：￥1.208445 +4000：￥1.197447	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数