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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA910PZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥2.8073

+6000:

¥2.673595

+9000:

¥2.550208

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 9.4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2805 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-MicroFET(2x2)

封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDMA910PZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥4.851005

+6000:

¥4.619963

+9000:

¥4.406752

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 9.4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2805 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-MicroFET(2x2)

封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMA910PZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥11.720413

+10:

¥9.600764

+100:

¥7.462412

+500:

¥6.325782

+1000:

¥5.152992

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-MicroFET (2x2)

FDMA910PZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-MicroFET (2x2)

Mouser
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FDMA910PZ_未分类
FDMA910PZ
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET

未分类

+1:

¥14.049975

+10:

¥12.617428

+100:

¥9.848757

+250:

¥9.834982

+500:

¥8.126946

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
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FDMA910PZ_未分类
FDMA910PZ
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

未分类

+3000:

¥4.808436

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMA910PZ参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 9.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2805 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.4W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-MicroFET(2x2)
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
温度: -55°C # 150°C(TJ)