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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCA76N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN 下载数据手册未分类	+1：￥69.147765 +200：￥26.760884 +450：￥25.821139 +900：￥25.362194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tube,Tube 封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 38A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12385 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 543W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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	FCA76N60N ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN 下载数据手册未分类	+29：￥100.580811 +143：￥98.607672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tube,Tube 封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 38A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12385 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 543W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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	FCA76N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tube,Tube 封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 38A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12385 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 543W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

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	FCA76N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tube,Tube 封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 38A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12385 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 543W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCA76N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube,Tube 封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 38A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12385 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 543W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	FCA76N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN 下载数据手册未分类	+1：￥278.627928 +10：￥247.621641 +100：￥216.578203 +500：￥184.813763	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 36mOhm @ 38A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 543W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-3PN Part Status： Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 12385 pF @ 100 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCA76N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 450

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCA76N60N 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+450：￥215.453963 +500：￥198.177669 +1000：￥171.47794	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	FCA76N60N 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+1：￥62.455226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCA76N60N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	Tube,Tube
封装/外壳:	*
系列:	SupreMOS™
零件状态:	Last Time Buy
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	76A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	36mOhm 38A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	285 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12385 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	543W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-3PN
封装/外壳:	TO-3P-3, SC-65-3
温度:	-55°C # 150°C (TJ)