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自营 国内现货
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FDMS86520_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥5.11207

+6000:

¥4.856474

+15000:

¥4.673885

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta),42A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.4 毫欧 14A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2850 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),69W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDMS86520_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥8.833639

+6000:

¥8.391971

+15000:

¥8.076457

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta),42A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.4 毫欧 14A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2850 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),69W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMS86520_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥20.821921

+10:

¥18.617249

+100:

¥14.51288

+500:

¥11.988528

+1000:

¥9.464666

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-PQFN (5x6)

FDMS86520_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥20.821921

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¥9.464666

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-PQFN (5x6)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS86520_未分类
FDMS86520
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN

未分类

+1:

¥23.826035

+10:

¥23.358856

+100:

¥18.21991

+500:

¥14.980814

+1000:

¥12.037598

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
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FDMS86520_未分类
FDMS86520
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

未分类

+3000:

¥8.627744

+6000:

¥8.407333

+9000:

¥8.182788

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
FDMS86520_未分类
FDMS86520
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

未分类

+1:

¥20.94268

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¥18.712394

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¥10.150864

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMS86520参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta),42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.4 毫欧 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2850 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),69W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)