品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247-3

系列： FCH041N60E

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 600 V

Id-连续漏极电流： 77 A

Rds On-漏源导通电阻： 41 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3.5 V

Qg-栅极电荷： 285 nC

Pd-功率耗散： 592 W

通道模式： Enhancement

商标名： SuperFET II

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 85 ns

正向跨导 - 最小值： 71 S

高度： 20.82 mm

长度： 15.87 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 50 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 320 ns

典型接通延迟时间： 50 ns

宽度： 4.82 mm

单位重量： 6 g

温度： - 50 C~+ 150 C