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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD5690 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥4.841842 +200：￥1.880021 +500：￥1.817003 +1000：￥1.785495	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD5690 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD5690 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.930067 +300：￥1.849647 +7500：￥1.769228 +10000：￥1.737081 +20000：￥1.608389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD5690 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD5690 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD5690 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.20817 +50：￥2.119843 +200：￥2.031516 +2500：￥1.978497 +7500：￥1.907882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD5690 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDD5690 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+2500：￥1.157973 +7500：￥1.127642 +12500：￥1.097544 +25000：￥1.057259	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD5690 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.524271	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD5690 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.817924	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD5690 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.375265	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
FDD5690 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.375265	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
FDD5690 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W (Ta), 50W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak) 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDD5690参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	32 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1110 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.2W（Ta），50W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）