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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH041N65EFL4 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥66.66197 +200：￥25.795147 +450：￥24.891897 +900：￥24.440272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 7.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 298 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12560 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 595W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH041N65EFL4 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥84.192275 +10：￥77.40346 +100：￥65.371979 +500：￥58.152954 +1000：￥53.340362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 7.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 298 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12560 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 595W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FCH041N65EFL4 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+32：￥62.733053	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 7.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 298 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12560 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 595W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH041N65EFL4 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥145.48397 +10：￥133.752919 +100：￥112.962562 +500：￥100.48811 +1000：￥92.171968	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 7.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 298 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12560 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 595W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FCH041N65EFL4 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 下载数据手册未分类	+32：￥108.402506	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® II 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41mOhm 38A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 7.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 298 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12560 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 595W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH041N65EFL4 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥221.088941 +10：￥203.129715 +30：￥194.694322 +120：￥171.565017 +510：￥152.517355	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 30

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH041N65EFL4 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+450：￥88.021327 +500：￥85.724453 +510：￥84.869506 +1000：￥81.500757	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCH041N65EFL4参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	FRFET®, SuperFET® II
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	41 毫欧 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 7.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	298 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12560 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	595W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 150°C（TJ）