品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： ESBC™

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 12 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 3.33A，10A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 8.5 11A，5V

功率 - 最大值： 60 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： -55°C # 125°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3 整包

供应商器件封装： TO-3PF

温度： -55°C # 125°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： ESBC™

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 12 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 3.33A，10A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 8.5 11A，5V

功率 - 最大值： 60 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： -55°C # 125°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3 整包

供应商器件封装： TO-3PF

温度： -55°C # 125°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-3P-3 Full Pack

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 125°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 3.33A, 10A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 8.5 @ 11A, 5V

Frequency - Transition： 15MHz

Supplier Device Package： TO-3PF

Current - Collector (Ic) (Max)： 12 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 800 V

Power - Max： 60 W

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PF-3

系列： FJAFS1720

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 800 V

集电极—基极电压 VCBO： 1.7 kV

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

集电极—射极饱和电压： 250 mV

最大直流电集电极电流： 12 A

Pd-功率耗散： 60 W

增益带宽产品fT： 15 MHz

商标： onsemi / Fairchild

直流集电极/Base Gain hfe Min： 8

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 7 g

温度： - 55 C~+ 125 C