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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FJP2160DTU ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 800V 2A TO220-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥18.718414 +200：￥7.24478 +500：￥6.993453 +1000：￥6.862326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： ESBC™ 零件状态：停产晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 330mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 400mA，3V 功率 - 最大值： 100 W 频率 - 跃迁： 5MHz 工作温度： -55°C # 125°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 125°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FJP2160DTU ON Semiconductor 授权代理品牌	TRANS NPN 800V 2A TO220-3 下载数据手册未分类	+652：￥4.442551 +3260：￥4.354514	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： ESBC™ 零件状态：停产晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 330mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 400mA，3V 功率 - 最大值： 100 W 频率 - 跃迁： 5MHz 工作温度： -55°C # 125°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 125°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FJP2160DTU ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 800V 2A TO220-3 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： ESBC™ 零件状态：停产晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 330mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 400mA，3V 功率 - 最大值： 100 W 频率 - 跃迁： 5MHz 工作温度： -55°C # 125°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 125°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FJP2160DTU ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 800V 2A TO220-3 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： ESBC™ 零件状态：停产晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 330mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 400mA，3V 功率 - 最大值： 100 W 频率 - 跃迁： 5MHz 工作温度： -55°C # 125°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 温度： -55°C # 125°C（TJ）
	FJP2160DTU ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 800V 2A TO220-3 下载数据手册未分类	+452：￥10.097076	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Transistor Type： NPN Operating Temperature： -55°C # 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 750mV @ 330mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max)： 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition： 5MHz Supplier Device Package： TO-220-3 Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 800 V Power - Max： 100 W
	FJP2160DTU ON Semiconductor 授权代理品牌	TRANS NPN 800V 2A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Transistor Type： NPN Operating Temperature： -55°C # 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 750mV @ 330mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max)： 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition： 5MHz Supplier Device Package： TO-220-3 Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 800 V Power - Max： 100 W
	FJP2160DTU ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 800V 2A TO220-3 下载数据手册未分类	+2000：￥6.425412	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Transistor Type： NPN Operating Temperature： -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 750mV @ 330mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max)： 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition： 5MHz Supplier Device Package： TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max)： 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 800 V Power - Max： 100 W

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FJP2160DTU ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 800V 2A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Transistor Type： NPN Operating Temperature： -55°C # 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 750mV @ 330mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max)： 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition： 5MHz Supplier Device Package： TO-220-3 Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 800 V Power - Max： 100 W

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FJP2160DTU ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans GP BJT NPN 800V 2A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥10.195223	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FJP2160DTU onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+600：￥1.109625	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FJP2160DTU参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	ESBC™
零件状态:	停产
晶体管类型:	NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	2 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	800 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	750mV 330mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）:	100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	20 400mA，3V
功率 - 最大值:	100 W
频率 - 跃迁:	5MHz
工作温度:	-55°C # 125°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-220-3
供应商器件封装:	TO-220-3
温度:	-55°C # 125°C（TJ）