FDMA507PZ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA507PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.59072 +10：￥9.06048 +30：￥7.5504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 7.8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2015 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA507PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+1：￥4.022615 +200：￥1.564934 +500：￥1.501916 +1000：￥1.48091	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 7.8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2015 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA507PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.580383 +6000：￥2.451407 +15000：￥2.359212	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 7.8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2015 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMA507PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.312299 +6000：￥5.99679 +15000：￥5.771258	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 7.8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2015 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMA507PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.841245 +10：￥13.304116 +100：￥10.37032 +500：￥8.566844 +1000：￥6.763235	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)
FDMA507PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.841245 +10：￥13.304116 +100：￥10.37032 +500：￥8.566844 +1000：￥6.763235	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA507PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+1：￥14.479997 +10：￥12.936375 +100：￥10.095017 +500：￥8.332829 +1000：￥7.239998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA507PZ 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin MLP EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥4.839621	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMA507PZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 7.8A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	42 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2015 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.4W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-MicroFET（2x2）
封装/外壳:	6-WDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）