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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCA47N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥64.640627 +10：￥62.932579 +30：￥61.797416 +100：￥60.662253	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 23.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 417W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCA47N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 23.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 417W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCA47N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥82.337081 +10：￥75.65935 +100：￥63.8966 +500：￥56.840824 +1000：￥52.136733	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 23.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 417W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCA47N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥142.278202 +10：￥130.739104 +100：￥110.413112 +500：￥98.220754 +1000：￥90.0921	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 23.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 417W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCA47N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P 下载数据手册晶体管	+1：￥139.50114 +10：￥130.16943 +30：￥130.011266 +60：￥120.995885 +120：￥118.781582	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-3PN-3 系列： FCA47N60 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 600 V Id-连续漏极电流： 47 A Rds On-漏源导通电阻： 70 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V Qg-栅极电荷： 270 nC Pd-功率耗散： 417 W 通道模式： Enhancement 商标名： SuperFET 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 75 ns 正向跨导 - 最小值： 40 S 高度： 20.1 mm 长度： 16.2 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 210 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 类型： N-Channel MOSFET 典型关闭延迟时间： 520 ns 典型接通延迟时间： 185 ns 宽度： 5 mm 单位重量： 4.600 g 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCA47N60 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+1：￥113.419804	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	FCA47N60 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+1：￥132.184447	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCA47N60参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 23.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	270 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	417W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3PN
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）