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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCD850N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥13.582597 +10：￥11.88887 +30：￥10.828925 +100：￥9.747125 +500：￥9.255398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 600µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCD850N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥73.561651	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 600µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCD850N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥12.157378 +5000：￥11.848292 +7500：￥11.642235 +12500：￥11.539206	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 600µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCD850N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥17.738056 +5000：￥17.581082 +7500：￥17.267135	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 600µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCD850N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.927879 +5000：￥7.629832	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 600µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCD850N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥13.69935 +5000：￥13.184323	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 600µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FCD850N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.414392 +10：￥25.240159 +100：￥20.08612 +500：￥16.995462 +1000：￥14.420335	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® II 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCD850N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥38.508959 +10：￥31.930345 +100：￥25.512185 +250：￥23.426285 +500：￥21.340383	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCD850N80Z 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥11.50096	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCD850N80Z参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® II
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	850 毫欧 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	29 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1315 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	75W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCD850N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥73.561651	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 600µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCD850N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥12.157378 +5000：￥11.848292 +7500：￥11.642235 +12500：￥11.539206	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 600µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCD850N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥17.738056 +5000：￥17.581082 +7500：￥17.267135	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 600µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）