FDC606P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FDC606P 共 15 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC606P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.37749 +10：￥4.589772 +30：￥4.201164 +100：￥3.812556 +500：￥3.581492	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1699 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC606P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.79456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1699 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDC606P UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FDC606P UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.884534 +100：￥1.222628 +1000：￥0.690786	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC606P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC606P VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.928988 +150：￥0.893257 +6000：￥0.786066 +24000：￥0.771732 +45000：￥0.714605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC606P 授权代理品牌	FDC606P VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.766232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC606P TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDC606P TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.875165 +9000：￥0.824114 +15000：￥0.802235 +21000：￥0.751183	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC606P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.147189 +6000：￥2.039859	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1699 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDC606P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.68788 +6000：￥5.279254 +9000：￥5.071039 +15000：￥5.025603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1699 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDC606P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.123294 +10：￥12.789659 +100：￥9.124107 +500：￥7.138956 +1000：￥6.499626	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6
FDC606P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.123294 +10：￥12.789659 +100：￥9.124107 +500：￥7.138956 +1000：￥6.499626	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6

FDC606P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	26 毫欧 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1699 pF 6 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）