FDMS7660厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7660 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+464：￥6.239838 +2317：￥6.116943	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5565 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMS7660 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMS7660 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥13.491072 +1000：￥5.652548 +5000：￥5.502461 +10000：￥5.402438 +20000：￥5.002237	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.217313 +6000：￥5.024071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5565 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥12.76293 +6000：￥12.290209	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5565 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.872744 +10：￥25.057596 +100：￥20.136663 +500：￥16.544425 +1000：￥13.708374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.872744 +10：￥25.057596 +100：￥20.136663 +500：￥16.544425 +1000：￥13.708374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+3000：￥10.220239 +6000：￥9.95475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5565 pF @ 15 V
FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥24.109923 +10：￥21.531694 +100：￥16.79054 +500：￥13.870314 +1000：￥10.950226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5565 pF @ 15 V
FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥24.109923 +10：￥21.531694 +100：￥16.79054 +500：￥13.870314 +1000：￥10.950226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5565 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥26.774335 +10：￥23.905655 +100：￥19.397731 +500：￥15.982638 +1000：￥13.223243	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

FDMS7660参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A（Ta），42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.8 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	84 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5565 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），78W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥12.76293 +6000：￥12.290209	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5565 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.872744 +10：￥25.057596 +100：￥20.136663 +500：￥16.544425 +1000：￥13.708374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.872744 +10：￥25.057596 +100：￥20.136663 +500：￥16.544425 +1000：￥13.708374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+3000：￥10.220239 +6000：￥9.95475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5565 pF @ 15 V
FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥24.109923 +10：￥21.531694 +100：￥16.79054 +500：￥13.870314 +1000：￥10.950226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5565 pF @ 15 V
FDMS7660 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥24.109923 +10：￥21.531694 +100：￥16.79054 +500：￥13.870314 +1000：￥10.950226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5565 pF @ 15 V