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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86105 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥19.85485 +10：￥17.396214 +30：￥15.855469 +100：￥14.271015 +500：￥13.484251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86105 授权代理品牌	FDMS86105 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥6.121984 +5：￥5.968947 +10：￥5.815908 +30：￥5.662871 +50：￥5.560767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS86105 授权代理品牌	FDMS86105 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥6.592906 +50：￥6.263214 +200：￥6.043498 +5000：￥5.98851	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS86105 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥9.418437 +9000：￥9.261463 +15000：￥9.104489 +75000：￥8.947515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86105 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86105 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.255726 +6000：￥5.058137 +9000：￥4.890665	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86105 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥12.856897 +6000：￥12.373545 +9000：￥11.963863	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS86105 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.478017 +10：￥23.680089 +100：￥18.849662 +500：￥15.950165 +1000：￥13.53356	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS86105 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.478017 +10：￥23.680089 +100：￥18.849662 +500：￥15.950165 +1000：￥13.53356	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86105 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥24.115591 +10：￥21.019672 +100：￥17.923749 +250：￥17.597864 +500：￥15.544779	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

FDMS86105参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Ta），26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	34 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	645 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），48W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）