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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.652887 +12500：￥6.887562	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA 下载数据手册未分类	+1：￥15.569932 +10：￥13.958218 +100：￥11.222123 +500：￥9.220272 +1000：￥7.639728	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3672 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD3672 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.194191 +200：￥4.026335 +500：￥3.925738 +2500：￥3.858711	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.773641	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD3672 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD3672 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥3.973432 +2500：￥3.655549 +7500：￥3.496606 +10000：￥3.337664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3672 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDD3672 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+2500：￥1.929761 +7500：￥1.896074 +12500：￥1.845833 +15000：￥1.761905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.380202 +10：￥14.716647 +100：￥11.832389 +500：￥9.726102 +1000：￥8.062669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥16.866004 +100：￥13.557422 +500：￥11.144487 +1000：￥9.229011	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥15.217665 +100：￥12.557227 +500：￥10.641751 +1000：￥9.06679 +2500：￥7.849525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.26752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDD3672参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	UltraFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A（Ta），44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	28 毫欧 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1710 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	135W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA 下载数据手册未分类	+1：￥15.569932 +10：￥13.958218 +100：￥11.222123 +500：￥9.220272 +1000：￥7.639728	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3672 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD3672 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.194191 +200：￥4.026335 +500：￥3.925738 +2500：￥3.858711	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.773641	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD3672 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD3672 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥3.973432 +2500：￥3.655549 +7500：￥3.496606 +10000：￥3.337664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3672 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDD3672 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+2500：￥1.929761 +7500：￥1.896074 +12500：￥1.845833 +15000：￥1.761905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.380202 +10：￥14.716647 +100：￥11.832389 +500：￥9.726102 +1000：￥8.062669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥16.866004 +100：￥13.557422 +500：￥11.144487 +1000：￥9.229011	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥15.217665 +100：￥12.557227 +500：￥10.641751 +1000：￥9.06679 +2500：￥7.849525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）