品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27mOhm 6.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 655 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.6W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SuperSOT™-6

封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27mOhm 6.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 655 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.6W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SuperSOT™-6

封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27mOhm 6.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 655 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.6W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SuperSOT™-6

封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27mOhm 6.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 655 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.6W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SuperSOT™-6

封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Packaging： Bulk

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 27mOhm @ 6.1A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.6W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： SuperSOT™-6

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 655 pF @ 15 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SSOT-6

系列： FDC855N

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 6.1 A

Rds On-漏源导通电阻： 27 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 13 nC

Pd-功率耗散： 1.6 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 2 ns

高度： 1.1 mm

长度： 2.9 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 2 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 14 ns

典型接通延迟时间： 6 ns

宽度： 1.6 mm

单位重量： 36 mg

温度： - 55 C~+ 150 C