FDN336P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN336P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.721696 +100：￥4.660848 +200：￥3.73824 +500：￥3.337632 +800：￥3.09816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN336P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.214129 +10：￥1.016127 +30：￥0.931331 +100：￥0.825446 +500：￥0.778349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN336P SHIKUES(时科) 授权代理品牌	P沟道 20V 2A 下载数据手册未分类	+10：￥0.35875 +100：￥0.291701 +300：￥0.258177 +1000：￥0.233033 +5000：￥0.212919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： P沟道漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 120mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1V@250uA

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN336P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.549889	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN336P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.099161 +6000：￥1.028222 +15000：￥0.957355 +30000：￥0.907705 +75000：￥0.886415	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN336P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.899347 +6000：￥1.776764 +15000：￥1.654307 +30000：￥1.56851 +75000：￥1.531723	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN336P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.417346 +10：￥4.598446 +100：￥3.430566 +500：￥2.695824 +1000：￥2.083159	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SuperSOT-3
FDN336P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.417346 +10：￥4.598446 +100：￥3.430566 +500：￥2.695824 +1000：￥2.083159	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SuperSOT-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN336P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： SSOT-3 系列： FDN336P 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： P-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 20 V Id-连续漏极电流： 1.3 A Rds On-漏源导通电阻： 200 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.5 V Qg-栅极电荷： 5 nC Pd-功率耗散： 500 mW 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 12 ns 正向跨导 - 最小值： 4 S 高度： 1.12 mm 长度： 2.9 mm 产品： MOSFET Small Signal 产品类型： MOSFET 上升时间： 12 ns 晶体管类型： 1 P-Channel 类型： MOSFET 典型关闭延迟时间： 16 ns 典型接通延迟时间： 7 ns 宽度： 1.4 mm 零件号别名： FDN336P_NL 单位重量： 30 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN336P 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥1.87066	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDN336P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	200 毫欧 1.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	330 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）