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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86310 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.5552 +10：￥21.72192 +30：￥17.88864 +100：￥14.69424 +500：￥12.7776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6290 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86310 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.320033 +10：￥13.145506 +30：￥11.779597 +100：￥10.380907 +500：￥9.747125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6290 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86310 授权代理品牌	FDMS86310 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥8.816124 +20：￥8.44881 +500：￥8.081381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	FDMS86310 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.629576 +6000：￥6.380359 +9000：￥6.169106	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6290 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86310 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥16.2177 +6000：￥15.608048 +9000：￥15.091266	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6290 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS86310 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.004722 +10：￥29.875347 +100：￥23.777405 +500：￥20.119782 +1000：￥17.071239	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS86310 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.004722 +10：￥29.875347 +100：￥23.777405 +500：￥20.119782 +1000：￥17.071239	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86310 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN 下载数据手册晶体管	+1：￥41.158806 +10：￥34.299005 +100：￥27.275875 +250：￥25.969247 +500：￥23.029332	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： Power-56-8 系列： FDMS86310 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 80 V Id-连续漏极电流： 17 A Rds On-漏源导通电阻： 6.7 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2.4 V Qg-栅极电荷： 95 nC Pd-功率耗散： 96 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 高度： 1.1 mm 长度： 6 mm 产品类型： MOSFET 晶体管类型： 1 N-Channel 宽度： 5 mm 单位重量： 68.100 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86310 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥16.052821 +6000：￥15.817278	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86310 onsemi(安森美) 授权代理品牌	Single N-Channel 80 V 7.2 mOhm 78 nC 96 W PowerTrench SMT Mosfet - POWER 56-8 下载数据手册未分类	+3000：￥11.601376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS86310参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.8 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	95 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6290 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），96W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）