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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86104 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 923 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86104 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.838239 +6000：￥7.547985	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 923 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86104 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥13.544452 +6000：￥13.042894	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 923 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS86104 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.593973 +10：￥26.587225 +100：￥21.370399 +500：￥17.55775 +1000：￥14.547805	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS86104 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.593973 +10：￥26.587225 +100：￥21.370399 +500：￥17.55775 +1000：￥14.547805	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS86104 ON Semiconductor 授权代理品牌	N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE 下载数据手册未分类	+1：￥11.83759	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 24mOhm @ 7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： Power56 Part Status： Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 923 pF @ 50 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86104 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥34.557903 +10：￥31.292589 +25：￥27.755165 +100：￥25.170126 +250：￥22.99325	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86104 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥11.860804 +6000：￥11.798277	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS86104参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Ta），16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	923 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），73W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）