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FJV3110RMTF_双极晶体管
FJV3110RMTF
ON(安森美)
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TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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双极晶体管
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

自营 国内现货
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FJV3110RMTF_双极晶体管
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双极晶体管
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

Digi-Key
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双极晶体管
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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

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双极晶体管
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系列： -

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

FJV3110RMTF_双极晶体管
FJV3110RMTF
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双极晶体管
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￥3.212713

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

FJV3110RMTF_未分类
FJV3110RMTF
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TRANS PREBIAS NPN 40V SOT23-3

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未分类
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货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 1mA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 1mA, 5V

Supplier Device Package： SOT-23-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 40 V

Power - Max： 200 mW

Frequency - Transition： 250 MHz

Resistor - Base (R1)： 10 kOhms

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
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TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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双极晶体管
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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

FJV3110RMTF参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Obsolete
晶体管类型: NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 1mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA (ICBO)
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
温度: