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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | FDC8886 授权代理品牌 | +3000: ¥2.010778 +15000: ¥1.809676 |
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FDC8886 授权代理品牌 | +3000: ¥2.891472 +6000: ¥2.691737 +15000: ¥2.63088 +30000: ¥2.563782 | 暂无参数 |
FDC8886参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | PowerTrench® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.5A(Ta),8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 23 毫欧 6.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 7.4 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 465 pF 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.6W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SuperSOT™-6 |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |