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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.238704 +12500：￥6.514882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2015 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS3672 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 100V 6.4A 下载数据手册未分类	+1：￥4.050972 +10：￥3.382462 +30：￥3.043218 +100：￥2.713952 +500：￥2.514397	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS3672 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS3672 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.260598 +500：￥2.221284 +4000：￥2.162261 +12000：￥2.122948 +20000：￥1.965691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS3672 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS3672 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.069826 +200：￥2.034517 +540：￥1.999103 +1610：￥1.946088 +5360：￥1.892966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+12：￥11.330047 +100：￥8.8136 +500：￥7.266907 +1000：￥6.014828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 23mOhm @ 7.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SOIC Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2015 pF @ 25 V
FDS3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.441936 +30：￥16.87007 +100：￥16.584136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2015 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.063828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2015 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.063828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2015 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS3672 授权代理品牌	FDS3672 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.916839 +1000：￥0.880374 +1500：￥0.844603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.66521 +5000：￥3.490643 +12500：￥3.329576	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2015 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS3672参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23 毫欧 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	37 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2015 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS3672 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS3672 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.260598 +500：￥2.221284 +4000：￥2.162261 +12000：￥2.122948 +20000：￥1.965691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS3672 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS3672 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.069826 +200：￥2.034517 +540：￥1.999103 +1610：￥1.946088 +5360：￥1.892966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+12：￥11.330047 +100：￥8.8136 +500：￥7.266907 +1000：￥6.014828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 23mOhm @ 7.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SOIC Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2015 pF @ 25 V
FDS3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.441936 +30：￥16.87007 +100：￥16.584136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2015 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.063828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2015 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS3672 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.063828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2015 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS3672 授权代理品牌	FDS3672 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.916839 +1000：￥0.880374 +1500：￥0.844603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数