FDMC8622厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FDMC8622 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.012441 +10：￥14.67488 +30：￥12.229107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 402 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥12.315033 +10：￥10.774288 +30：￥9.812688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 402 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.81991 +6000：￥3.638035 +9000：￥3.470118	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 402 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC8622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥9.344512 +6000：￥8.899596 +9000：￥8.488828	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 402 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC8622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.574389 +10：￥18.488139 +100：￥14.376171 +500：￥12.185598 +1000：￥9.926445	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)
FDMC8622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.574389 +10：￥18.488139 +100：￥14.376171 +500：￥12.185598 +1000：￥9.926445	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8622 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥21.240034 +10：￥18.299107 +100：￥15.684949 +500：￥13.920393 +1000：￥11.338911	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8622 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥20.26811 +10：￥17.756583 +25：￥16.980132 +100：￥14.669628 +250：￥13.801462	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMC8622参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta），16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	56 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	402 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），31W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）