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FDV301N_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDV301N
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥0.160514

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￥0.157647

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￥0.151914

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国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.06V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDV301N_未分类
FDV301N
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=5A

未分类
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￥0.369293

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￥0.335723

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￥0.313342

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FDV301N_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDV301N
ON(安森美)
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MOS场效应管 FDV301N 301 SOT-23

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晶体管-FET，MOSFET-单个
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￥0.581889

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￥0.393492

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￥0.288827

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￥0.20933

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.06V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDV301N_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDV301N
ON(安森美)
授权代理品牌
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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.06V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDV301N_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDV301N
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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.06V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDV301N
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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.06V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDV301N_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDV301N
ON(安森美)
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技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.06V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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FDV301N
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FDV301N VBSEMI/微碧半导体

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未分类
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￥0.254214

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￥0.236503

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FDV301N
UDU SEMICONDUTOR
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FDV301N UDU SEMICONDUTOR

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￥0.2049

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￥0.186378

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￥0.16855

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授权代理品牌
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￥0.26235

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￥0.24853

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￥0.232895

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

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零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.06V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDV301N参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4 欧姆 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.06V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.7 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9.5 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 350mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C（TJ）