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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH25N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥8.19227 +10：￥8.003217 +30：￥7.877183 +100：￥7.751148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 126 毫欧 12.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3352 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 216W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FCH25N60N ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 下载数据手册未分类	+116：￥25.093867 +577：￥24.601839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 126 毫欧 12.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3352 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 216W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FCH25N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥27.746419 +300：￥27.619196 +500：￥27.491857 +1000：￥27.364635 +5000：￥26.982734	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 126 毫欧 12.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3352 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 216W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH25N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.39816 +10：￥32.697311 +100：￥26.789268	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 126 毫欧 12.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3352 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 216W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH25N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥89.039544 +10：￥79.986285 +100：￥65.533647	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 126 毫欧 12.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3352 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 216W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH25N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥101.129461 +10：￥91.030541 +25：￥88.225285 +100：￥74.479533 +450：￥64.66114	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 450

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH25N60N 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+450：￥61.980493 +500：￥57.026053 +1000：￥43.847523 +2000：￥43.404907 +2500：￥42.419729	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCH25N60N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SupreMOS™
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	126 毫欧 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	74 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3352 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	216W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）