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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS1D4N03S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥6.679339 +200：￥2.587296 +500：￥2.500692 +1000：￥2.446565	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 211A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.09 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS1D4N03S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.788506	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 211A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.09 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS1D4N03S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥16.606483	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench®, SyncFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 211A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.09 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS1D4N03S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.051729 +10：￥25.147383 +100：￥20.212828 +500：￥16.606623 +1000：￥13.759657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench®, SyncFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS1D4N03S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench®, SyncFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

FDMS1D4N03S参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®, SyncFET™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	211A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.09 毫欧 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	65 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10250 pF 15 V
FET 功能:	肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）:	74W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）