品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SupreMOS™

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 18A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 112 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4785 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 312W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SupreMOS™

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 18A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 112 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4785 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 312W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SupreMOS™

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 18A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 112 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4785 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 312W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SC-70-3

系列： FCB36N60N

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 600 V

Id-连续漏极电流： 36 A

Rds On-漏源导通电阻： 90 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V

Qg-栅极电荷： 112 nC

Pd-功率耗散： 312 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 4 ns

正向跨导 - 最小值： 41 S

高度： 4.83 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 22 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 94 ns

典型接通延迟时间： 23 ns

宽度： 9.65 mm

单位重量： 4 g

温度： - 55 C~+ 150 C