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	FQT7N10LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.56855 +300：￥5.1183 +1000：￥3.75705 +4000：￥2.7225 +8000：￥2.586375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 850mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FQT7N10LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.21752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 850mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FQT7N10LTF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FQT7N10LTF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥3.769068 +100：￥1.100365 +1000：￥0.841084	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQT7N10LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 下载数据手册未分类	+67：￥7.76251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 850mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQT7N10LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 下载数据手册未分类	+4000：￥2.648728 +8000：￥2.624372 +12000：￥2.600129 +16000：￥2.575773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 850mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQT7N10LTF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQT7N10LTF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.857974 +150：￥1.786513 +3000：￥1.572132 +12000：￥1.543568 +24000：￥1.429211	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQT7N10LTF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQT7N10LTF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.715053 +100：￥1.68649 +1000：￥1.643592 +3000：￥1.543568 +10000：￥1.515006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQT7N10LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 下载数据手册未分类	+4000：￥2.240716 +8000：￥2.220158 +12000：￥2.199602 +16000：￥2.179045 +20000：￥2.158488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 850mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQT7N10LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 下载数据手册未分类	+19：￥6.868057 +100：￥5.520901 +250：￥5.304383 +500：￥4.3782 +1000：￥3.500169	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-261-4, TO-261AA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 350mOhm @ 850mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-223-4 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 290 pF @ 25 V

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	FQT7N10LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.653087 +8000：￥1.531136 +12000：￥1.468911 +20000：￥1.468097	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 850mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FQT7N10LTF参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	350 毫欧 850mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	290 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQT7N10LTF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FQT7N10LTF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥3.769068 +100：￥1.100365 +1000：￥0.841084	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQT7N10LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 下载数据手册未分类	+67：￥7.76251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 850mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQT7N10LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 下载数据手册未分类	+4000：￥2.648728 +8000：￥2.624372 +12000：￥2.600129 +16000：￥2.575773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 850mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQT7N10LTF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQT7N10LTF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.857974 +150：￥1.786513 +3000：￥1.572132 +12000：￥1.543568 +24000：￥1.429211	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQT7N10LTF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQT7N10LTF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.715053 +100：￥1.68649 +1000：￥1.643592 +3000：￥1.543568 +10000：￥1.515006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQT7N10LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 下载数据手册未分类	+4000：￥2.240716 +8000：￥2.220158 +12000：￥2.199602 +16000：￥2.179045 +20000：￥2.158488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 850mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQT7N10LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 下载数据手册未分类	+19：￥6.868057 +100：￥5.520901 +250：￥5.304383 +500：￥4.3782 +1000：￥3.500169	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-261-4, TO-261AA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 350mOhm @ 850mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-223-4 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 290 pF @ 25 V