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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDY300NZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥2.786454

+10:

¥2.272872

+30:

¥2.054327

+100:

¥1.770218

+500:

¥1.650018

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 700 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.1 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 625mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-89-3

封装/外壳: SC-89,SOT-490

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FDY300NZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥1.659047

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 700 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.1 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 625mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-89-3

封装/外壳: SC-89,SOT-490

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDY300NZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥2.866828

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 700 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.1 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 625mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-89-3

封装/外壳: SC-89,SOT-490

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDY300NZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥8.04956

+10:

¥6.936827

+100:

¥5.178946

+500:

¥4.069054

+1000:

¥3.144184

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-89, SOT-490

供应商器件封装: SC-89-3

FDY300NZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥8.04956

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¥6.936827

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¥5.178946

+500:

¥4.069054

+1000:

¥3.144184

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-89, SOT-490

供应商器件封装: SC-89-3

Mouser
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FDY300NZ_未分类
FDY300NZ
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3

未分类

+1:

¥9.659887

+10:

¥8.272128

+100:

¥6.176885

+500:

¥4.857154

+1000:

¥3.755111

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
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FDY300NZ_未分类
FDY300NZ
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-523FL T/R

未分类

+3000:

¥2.507421

+24000:

¥2.257317

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDY300NZ参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 700 毫欧 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.1 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 625mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-89-3
封装/外壳: SC-89,SOT-490
温度: -55°C # 150°C(TJ)