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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC658AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥60.990624 +100：￥43.547184 +200：￥33.29928 +500：￥28.273824 +800：￥25.432272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC658AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.852344 +10：￥3.413446 +30：￥2.625728 +100：￥1.743483 +500：￥1.344372	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC658AP VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	P沟道 30V 4.8A 下载数据手册未分类	+5：￥1.628161 +50：￥1.329143 +150：￥1.200903 +500：￥1.041049	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC658AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.83006 +100：￥0.743545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDC658AP VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC658AP ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 下载数据手册未分类	+1：￥14.105127 +100：￥14.105127 +200：￥14.105127 +1000：￥14.105127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC658AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDC658AP VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC658AP VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+200：￥0.914653 +500：￥0.878922 +1000：￥0.864694 +3000：￥0.850359 +10000：￥0.81463	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDC658AP JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDC658AP JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.493057 +9000：￥0.480199 +15000：￥0.46734 +51000：￥0.450159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	FDC658AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.440219 +6000：￥1.366962 +9000：￥1.269358 +30000：￥1.239998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC658AP ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.488693 +6000：￥2.362106 +9000：￥2.193446 +30000：￥2.142712	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SuperSOT™-6 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC658AP参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.1 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	470 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）