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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN5618P TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	SOT23 SMT 60V 8A 下载数据手册未分类	+1：￥0.969781	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDN5618P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.115543 +20：￥1.021003 +100：￥0.926464 +500：￥0.831924 +1000：￥0.787814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDN5618P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥1.246542 +3000：￥0.903265 +15000：￥0.812999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN5618P 台舟电子(TECH PUBLIC) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) FDN5618P SOT-23 下载数据手册未分类	+1：￥1.182654	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	FDN5618P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.1858	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN5618P UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FDN5618P UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.464599 +1000：￥0.336435	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN5618P TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDN5618P TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.426866 +9000：￥0.420015 +30000：￥0.409792 +57000：￥0.385867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN5618P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 下载数据手册未分类	+1：￥14.418583	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN5618P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.22795 +10：￥5.096097 +50：￥4.964359	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDN5618P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.812573 +6000：￥0.77126 +9000：￥0.716138 +30000：￥0.6996 +75000：￥0.681787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDN5618P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	170 毫欧 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	430 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN5618P UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FDN5618P UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.464599 +1000：￥0.336435	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN5618P TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDN5618P TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.426866 +9000：￥0.420015 +30000：￥0.409792 +57000：￥0.385867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN5618P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 下载数据手册未分类	+1：￥14.418583	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN5618P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.22795 +10：￥5.096097 +50：￥4.964359	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）