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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN5630 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.985433 +200：￥2.018885 +800：￥1.482008 +3000：￥1.073875 +6000：￥1.020151	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN5630 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN5630 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 60V 4A 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN5630 null(华轩阳电子) 授权代理品牌	该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于60V电压系统，具备3A大电流处理能力。具有低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等领域，实现高效、稳定的功率控制及转换功能。下载数据手册未分类	+5：￥0.51263 +50：￥0.422153 +150：￥0.376913 +500：￥0.342985 +3000：￥0.26872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN5630 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.750878 +6000：￥0.705393 +15000：￥0.659854 +30000：￥0.605273 +75000：￥0.58253	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN5630 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.836845 +6000：￥1.725579 +15000：￥1.614177 +30000：￥1.480657 +75000：￥1.425024	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN5630 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.513152 +10：￥5.278368 +100：￥3.595804 +500：￥2.696989 +1000：￥2.022742	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SuperSOT-3
FDN5630 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.513152 +10：￥5.278368 +100：￥3.595804 +500：￥2.696989 +1000：￥2.022742	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SuperSOT-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN5630 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 下载数据手册未分类	+1：￥8.023143 +10：￥6.193868 +100：￥4.220175 +500：￥3.16112 +1000：￥2.390899	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN5630 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥2.010333	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDN5630参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 1.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	400 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）